GAA + BSP = 後摩爾時代雙引擎？解密台積電、Intel 如何靠「電晶體架構」與「供電革新」續命摩爾定律

摩爾定律的十字路口 - 為何需要新引擎？

摩爾定律的輝煌與物理極限的警鐘；

摩爾定律，由 Intel 共同創辦人高登・摩爾 (Gordon Moore) 在 1965 年提出的經驗觀察，預測積體電路上可容納的電晶體數目，約每隔兩年便會增加一倍；這個定律在過去近六十年裡，不僅是半導體產業發展的路線圖，更是驅動整個數位革命的強大引擎；從大型主機到個人電腦，再到智慧手機與雲端運算，每一次的科技飛躍，背後都有摩爾定律驅動的晶片效能提升與成本下降的身影；然而，當電晶體的尺寸逼近原子尺度，物理極限的警鐘早已敲響；量子穿隧效應導致的漏電流急遽增加、散熱問題日益嚴峻、製造成本指數級攀升，都讓這條黃金法則的延續面臨前所未有的挑戰；過去那種單純依靠縮小電晶體尺寸就能帶來顯著效能功耗改進的「康莊大道」，正變得越來越崎嶇難行。

FinFET 的貢獻與瓶頸：當鰭式結構也難以抑制漏電；

為了克服傳統平面電晶體 (Planar FET) 在 20 奈米以下節點遭遇的嚴重漏電問題，業界引入了 FinFET（鰭式場效電晶體）架構；FinFET 將原本平面的導電通道豎立起來，形成魚鰭狀的結構，讓閘極可以從三面包覆通道，大幅增強了對電流開關的控制能力，成功將摩爾定律延續了十多年；從 22/16 奈米一路走到 7/5 奈米，FinFET 功不可沒；但是，隨著製程進一步微縮至 3 奈米甚至以下，即使是 FinFET，其鰭狀結構也變得過於纖薄，難以再有效抑制漏電流（特別是靜態漏電如閘極引發汲極漏電 GIDL），同時，更窄的鰭片也限制了驅動電流的提升空間，影響了電晶體的效能；繼續縮小 FinFET 變得越來越困難，成本效益也急劇下降；顯然，半導體產業需要再次祭出革命性的電晶體架構創新，尋找能夠在更小尺度下依然保持優良開關特性的新方案。

預告：GAA 與 BSP，接棒續命的兩大關鍵角色登場；

就在 FinFET 逐漸觸及天花板之際，兩項被寄予厚望的技術浮上水面：GAA（Gate-All-Around，環繞閘極）電晶體架構，以及 BSP（Backside Power Delivery Network，晶背供電網路）；GAA 被視為電晶體結構演進的下一站，主要目的在於提供比 FinFET 更優異的靜電控制能力，從根本上解決漏電問題；而 BSP 則是一場供電方式的革命，試圖從根本上解決晶片內部日益嚴峻的供電瓶頸與佈線擁塞問題；更重要的是，這兩項技術並非孤立發展，而是被認為需要相輔相成、共同部署，才能真正扛起延續摩爾定律的大旗；它們猶如一對強力引擎（GAA）與高效能燃料補給系統（BSP），為駛向 2 奈米及更先進節點的半導體列車提供必要的動力與支援；接下來，我們將深入剖析這兩大技術的核心原理，並探討為何它們在後摩爾時代缺一不可。

核心原理深入解析 (一)： GAA (環繞閘極) - 電晶體的終極控制形態

從平面到立體，再到「環繞」： 電晶體結構的演進之路 (Planar FET -> FinFET -> GAA)

回顧電晶體的發展史，就是一部閘極對通道控制能力不斷提升的歷史；最早的平面電晶體 (Planar FET)，閘極只能從上方控制通道，控制力較弱，容易漏電；為此，FinFET 將通道「豎」起來，變成了立體的「鰭」，讓閘極能從左、右、上三個方向包覆通道，控制力大幅提升；而 GAA（環繞閘極）則更進一步，將通道做成奈米線 (Nanowire) 或奈米片/帶 (Nanosheet/Nanoribbon) 的形式，讓閘極材料能夠將通道「完全包裹」起來，實現四面環繞控制；這可以說是閘極對通道控制能力的終極形態，最大程度地減少不受閘極電場影響的區域。

GAA 的運作核心： 閘極如何「全面包覆」通道以最大化控制力

GAA 的核心優勢在於其結構；想像一下，電流就像水流，通道是水管，閘極是控制水流開關的水龍頭；平面電晶體的閘極只在水管上方，關水時可能還有縫隙漏水；FinFET 的閘極包住了水管的三面，漏水情況改善很多；而 GAA 的閘極則像一個緊箍咒，將水管完全包住，理論上能實現最完美的開關控制；這種全面的靜電控制能力，使得 GAA 在極小的通道尺寸下，依然能有效地開啟和關閉電流，將漏電抑制到最低水平；

為何 GAA 能更有效抑制短通道效應與漏電流

當電晶體尺寸不斷縮小，通道長度變短時，「短通道效應」就會變得非常顯著；其中最主要的問題是汲極電壓對通道的影響力增強，導致閘極更難完全關閉電晶體（即閾值電壓下降、DIBL 效應增強），從而產生嚴重的漏電流；GAA 的環繞式閘極結構，能更有效地屏蔽汲極電場對通道的干擾，如同給通道穿上了一層更厚的「絕緣盔甲」，使得閘極的主導控制權得以維持；因此，相較於 FinFET，GAA 能夠在更短的通道長度下，依然保持良好的亞閾值擺幅 (Subthreshold Swing, SS 值，越低越好) 和更低的漏電流。

Nanosheet/RibbonFET： GAA 的主流實現 - 更靈活的通道寬度設計

早期的 GAA 概念以奈米線 (Nanowire) 為主，但單根奈米線提供的驅動電流有限；為了克服這個問題，業界發展出了 Nanosheet（奈米片，TSMC 主要採用）和 RibbonFET（帶狀場效電晶體，Intel 命名）等結構；它們本質上都是將通道做成扁平的片狀或帶狀，並且可以將多層片/帶垂直堆疊起來；這樣做最大的好處是，可以通過調整片/帶的寬度來精確控制單個電晶體的驅動電流大小，提供了比固定寬度 FinFET 更大的設計靈活性；設計人員可以根據不同電路的需求，選擇不同寬度或堆疊層數的 Nanosheet/RibbonFET，以實現效能與功耗的最佳平衡；這也是 GAA 得以進入主流商業化量產的關鍵。

核心原理深入解析 (二)： BSP (晶背供電) - 晶片供電網路的範式轉移

傳統正面供電網路 (PDN) 的困境：日益嚴重的 IR 壓降 (電壓下降)

傳統的晶片設計中，供電網路 (Power Delivery Network, PDN) 和訊號線路一樣，都是製作在晶片正面的多層金屬互連層中；晶片運作所需的電力，需要通過這些由細長金屬線構成的「電網」輸送到數十億個電晶體；然而，隨著電晶體密度越來越高、工作電流越來越大、工作電壓越來越低，這套正面供電網路（Frontend PDN）開始不堪重負；金屬導線本身的電阻（R）和流過的電流（I）會導致電壓損失，即 IR 壓降；當晶片規模龐大、線路冗長時，IR 壓降會非常嚴重，導致遠端的電晶體接收到的實際電壓遠低於標稱值，這會嚴重影響晶片的運作速度和穩定性，甚至導致功能錯誤。

訊號線與電源線的「地盤」之爭：繞線擁塞問題；

在寸土寸金的晶片正面，供電線路和訊號線路必須共享有限的金屬互連層資源；隨著邏輯電路越來越複雜，訊號線的數量和密度急劇增加；為了給供電網路留出足夠的「通道」以降低電阻，往往需要犧牲一部分可用於訊號佈線的空間，反之亦然；這種「地盤」之爭導致了嚴重的繞線擁塞 (Routing Congestion) 問題，限制了晶片的佈局密度，增加了設計的複雜度和時間成本，成為了限制晶片面積縮小的主要瓶頸之一。

BSP 的革命性概念： 將供電網路移至晶片背面，實現「供電」與「訊號」分層；

為了解決上述困境，晶背供電 (BSP) 或稱背面供電網路 (Backside PDN) 的概念應運而生；其核心思想是：將負責輸送電力的主要供電線路，從擁擠的晶片正面轉移到相對「空曠」的晶片背面；具體的實現方式通常是在完成晶片正面的電晶體和初始幾層金屬互連後，將晶圓翻轉、減薄，然後在背面製作專用的、更粗更短的供電導線層；再透過奈米級的矽穿孔 (nano-TSV 或類似結構) 將背面的電力直接「輸送」到正面的電晶體；這樣就實現了供電網路和訊號網路在物理空間上的徹底分離。

BSP 的核心優勢： 穩定供電、釋放正面佈線空間、提升訊號完整性；

BSP 帶來的好處是多方面的；首先，由於背面的供電線路可以做得更寬、更厚、路徑更短，其電阻顯著降低，從而大幅減小 IR 壓降，為電晶體提供更穩定、更充沛的「電力能源」；其次，將龐大的供電網路移走後，晶片正面的金屬層幾乎可以完全用於訊號線路的佈線，極大地緩解了繞線擁塞，使得邏輯單元可以排列得更緊密，有助於進一步縮小晶片面積 (Area Scaling) 或在相同面積下集成更多功能；最後，供電和訊號的分離也減少了彼此之間的電磁干擾，有助於提升高速訊號的傳輸品質和完整性 (Signal Integrity)。

雙劍合璧：為何 GAA 與 BSP 在後摩爾時代缺一不可？

關鍵痛點一：GAA 對穩定供電的嚴苛要求；

進入 GAA 時代，為了進一步降低功耗，電晶體的操作電壓 (Vdd​) 將持續降低，可能降至 0.7V 甚至更低；然而，電晶體對電壓波動的敏感度卻隨之增加；同樣是 50mV 的 IR 壓降，在 1.0V 的操作電壓下只佔 5%，但在 0.7V 下則佔到了約 7%；這意味著，GAA 電晶體對供電穩定性的要求比 FinFET 更為苛刻；如果沒有穩定、低噪聲的供電，GAA 潛在的效能和功耗優勢將大打折扣，甚至無法穩定工作；傳統的正面供電網路在高密度 GAA 電路中，難以滿足如此嚴格的低 IR 壓降要求，而 BSP 提供的低電阻供電路徑正好能解決這個痛點。

關鍵痛點二：正面繞線資源的枯竭；

GAA 電晶體，特別是需要堆疊多層 Nanosheet/Ribbon 以獲取足夠驅動電流的高效能邏輯單元，其結構本身在標準單元 (Standard Cell) 設計中可能比 FinFET 佔據更多的佈線軌道 (Routing Track) 或需要更複雜的內部連線；如果仍然採用傳統的正面供電，電源線會佔據寶貴的底層金屬層空間，進一步壓縮可用於單元內部和單元之間訊號連接的空間；這將嚴重阻礙標準單元高度 (Standard Cell Height) 的進一步縮減，而後者是實現邏輯密度提升的關鍵指標；BSP 將電源線移至背面，等於為正面騰出了數條關鍵的佈線軌道，使得採用 GAA 的標準單元可以設計得更緊湊，實現更高的邏輯密度。

協同效應： BSP 如何成就 GAA 的 PPA (效能、功耗、面積) 最佳化；

GAA 和 BSP 的結合，產生了 1+1 > 2 的協同效應，直接體現在晶片設計最重要的三個指標 PPA (Performance, Power, Area) 上；BSP 提供的穩定低壓降供電 (Power Integrity)，使得 GAA 電晶體可以在更低的電壓下可靠運行（降低功耗 Power），或者在相同功耗預算下達到更高的運行頻率（提升效能 Performance）；同時，BSP 釋放的正面佈線空間，使得採用 GAA 的邏輯單元可以設計得更小、排列得更密（縮小面積 Area），並且簡化了複雜電路的繞線工作，縮短了設計週期；可以說，沒有 BSP 為 GAA 鋪平道路，GAA 的潛力將難以完全發揮。

GAA 提供「引擎動力」，BSP 提供「穩定能源與順暢通路」，兩者結合才能衝破 2 奈米障礙。

因此，GAA 和 BSP 並非可以獨立選擇的技術選項，而是在邁向 2 奈米及更先進節點過程中，緊密綁定、缺一不可的「黃金組合」；GAA 提供了克服電晶體本身微縮物理極限的「新引擎」，而 BSP 則解決了為這顆強大引擎穩定輸送「燃料」（電力）並確保周邊「道路」（訊號線）暢通的基礎設施問題；只有這對雙引擎協同運作，半導體產業才有望繼續延續摩爾定律的步伐，滿足未來應用對算力永無止境的需求。

龍頭對決：台積電 vs Intel 的 GAA + BSP 整合策略比較

在 GAA 和 BSP 這兩大關鍵技術的導入上，晶圓代工的兩大巨頭台積電 (TSMC) 和英特爾 (Intel) 都已積極佈局，並給出了各自的技術藍圖與命名方式；雖然核心原理相似，但在具體的實現細節、量產時程和技術側重上存在差異，預示著下一代先進製程的激烈競爭；下表對兩者的策略進行了比較：

特性 (Feature)	台積電 (TSMC)	英特爾 (Intel)	備註
目標節點	N2 (2 奈米級)	Intel 20A (2 奈米級 / Ångström 時代)	兩者均瞄準 2024-2025 年量產窗口期，時間點接近
GAA 電晶體名稱	Nanosheet (奈米片)	RibbonFET (帶狀場效電晶體)	本質相似，均為 GAA 結構，透過調整片/帶寬度控制電流；名稱差異為主
GAA 結構特點	強調製程成熟度與設計生態系 (IP, EDA) 的無縫銜接	強調 RibbonFET 結構本身的創新性與提供最佳效能潛力	TSMC 傾向穩健演進，Intel 則展現更強的技術革新企圖
BSP 技術名稱	Super Power Rail (超級電源軌)	PowerVia (電源穿越線)	命名不同，核心概念均為晶背供電
BSP 實現方式	官方細節較少，業界推測可能採用埋入式電源軌 (Buried Power Rail) 或 nTSV 從背面連接	已公開展示透過 nTSV 直接從晶片背面為電晶體供電，分離更徹底	Intel 在 PowerVia 的技術細節溝通上更為透明和積極
宣稱主要優勢	延續 PPA 領先地位、提供完整且成熟的設計平台與產能	PowerVia 實現供電與訊號線路完全分離、大幅改善 IR 壓降、提升邏輯密度	Intel 的 PowerVia 在理論上分離更乾淨，潛在的 PPA 改善幅度可能更大
潛在挑戰	Super Power Rail 具體架構與效益需量產驗證、整合複雜度與成本控制	PowerVia 引入全新背面製程步驟、晶圓減薄與鍵合的良率與對準精度、散熱管理、EDA 工具需大幅更新以支援	Intel 方案變革幅度更大，意味著技術風險與潛在回報可能更高；兩者都面臨極高的製造與良率挑戰

從上表可以看出，台積電與 Intel 雖然殊途同歸，都認識到 GAA+BSP 的重要性，但在技術命名、實現路徑的選擇以及對外溝通策略上有所不同；Intel 的 RibbonFET + PowerVia 組合在概念上似乎更為「激進」，強調技術的徹底革新，而台積電的 Nanosheet + Super Power Rail 則可能更側重於製程的穩定性、良率以及與現有設計流程的兼容性；最終誰能勝出，還需看實際量產後的 PPA 表現、成本控制以及客戶的接受度。

製造與設計的雙重挑戰：GAA + BSP 的落地難關

將 GAA 與 BSP 從實驗室概念轉化為大規模量產，其間需要克服的製造與設計挑戰是空前巨大的；

GAA 製造： 奈米片/帶的精準蝕刻、磊晶、多層堆疊均勻性控制；

製造 GAA 結構，尤其是 Nanosheet/RibbonFET，需要在原子級別上精確控制；例如，需要通過選擇性蝕刻犧牲層來形成懸浮的奈米片/帶通道，這對蝕刻的精準度和均勻性要求極高；之後還要進行高質量的通道材料磊晶生長，以及在通道周圍沉積厚度僅有數奈米的高介電常數 (High-K) 介質和金屬閘極材料 (Metal Gate)；如果是多層堆疊結構，每一層片/帶的厚度、寬度、間距都需要嚴格控制，任何微小的偏差都可能影響最終的電性表現和良率。

BSP 整合： 晶圓背面處理、奈米級矽穿孔 (nTSV) 對準與連接、晶圓鍵合技術；

BSP 的引入則意味著晶圓廠需要掌握一套全新的背面製程技術；首先需要將已經完成正面製程的晶圓進行精密減薄至數十微米甚至更薄，同時不能損壞正面的精密結構；然後在背面沉積、蝕刻金屬層，形成供電網路；最關鍵的是製造高深寬比的奈米級矽穿孔 (nTSV)，這些 nTSV 需要精確地穿透矽基板，並與正面的電晶體或金屬觸點實現低電阻、高可靠性的連接；這對光刻對準精度提出了極高的要求；如果採用如 Intel PowerVia 可能涉及的晶圓對晶圓鍵合技術，則對鍵合的精度、潔淨度和應力控制也是巨大挑戰。

散熱挑戰： 電源線移至背面後對散熱路徑的影響

將主要的發熱源之一——供電網路移至晶片背面，會改變晶片的整體散熱路徑；傳統的散熱方案主要針對正面，而 BSP 結構需要在背面也考慮有效的散熱機制；如何管理背面電源線產生的熱量，以及 nTSV 本身作為潛在熱阻的影響，都是需要解決的工程問題，可能需要新的封裝技術和散熱材料來配合。

EDA 設計工具的革新： 需同時考慮正面訊號與背面供電的協同設計與驗證

GAA+BSP 的整合對現有的電子設計自動化 (EDA) 工具鏈提出了嚴峻的挑戰；設計師需要能夠同時進行正面訊號佈局和背面供電網路規劃的協同設計 (Co-design)；佈局工具需要支援新的 GAA 單元庫和 BSP 設計規則；驗證工具需要能夠精確模擬和分析跨越晶片正反兩面的複雜電氣特性，如 IR 壓降分析、電遷移 (EM) 分析、訊號完整性分析以及熱分析，都需要升級甚至重寫算法以適應新的架構。

良率與成本控制： 新架構導入初期的必然陣痛；

毫無疑問，引入如此複雜的 GAA 和 BSP 新技術，在量產初期必然面臨良率爬升的巨大壓力和高昂的製造成本；任何一個環節的製程偏差都可能導致整個晶片的失效；晶圓廠需要投入巨資進行研發、購買新設備、優化製程參數，才能逐步提高良率並降低成本，達到商業上可行的水平；這也是先進製程玩家門檻越來越高的原因之一。

應用場景與市場影響：GAA + BSP 將如何改變未來？

GAA 和 BSP 技術的成功落地，將對從終端消費者到整個半導體產業鏈產生深遠的影響：

更快、更省電、更智慧的終端裝置：手機、PC、AI 加速器、HPC；

對於普通用戶而言，GAA+BSP 最直接的體現將是未來電子產品的顯著升級；搭載採用這些技術的先進晶片，智慧手機將擁有更長的電池續航、更流暢的多任務處理和更強大的 AI 拍照/語音助手功能；筆記型電腦和桌上型 PC 將能運行要求更高的遊戲和專業軟體，同時保持輕薄和低發熱；在資料中心，AI 加速器和高效能運算 (HPC) 伺服器將獲得前所未有的算力提升和能效改進，推動科學研究、氣候模擬、新藥研發等領域的突破。

對 IP 設計、標準單元庫、系統單晶片 (SoC) 架構的深遠影響

對於 IC 設計工程師和相關領域的專業人士來說，GAA+BSP 的導入意味著工作方式的轉變；需要開發和驗證適用於新架構的 IP（矽智財）模塊；標準單元庫需要重新設計，以充分利用 GAA 的特性和 BSP 帶來的佈線優勢；系統單晶片 (SoC) 的架構規劃也需要重新考量，例如如何最優化地利用背面的供電網路，以及如何處理因密度提升可能帶來的設計複雜性增加；這也為 EDA 工具供應商帶來了新的商機與挑戰。

晶圓代工市場格局的演變：技術領先者的優勢擴大

GAA+BSP 技術的研發和量產需要極高的技術門檻和鉅額的資本投入；能夠率先掌握並穩定、大規模量產這些技術的晶圓代工廠（目前主要是台積電、Intel 和三星），將建立起顯著的競爭優勢，吸引對效能和功耗有極致要求的頂級客戶（如 Apple, Nvidia, AMD, Qualcomm 等）；這可能導致先進製程市場的集中度進一步提高，技術領先者與追趕者之間的差距或將拉大；

半導體設備與材料供應鏈的新機遇與挑戰；

新技術的導入也為半導體設備和材料供應商帶來了新的機遇；例如，對極紫外光 (EUV) 微影技術的需求將持續增長，用於精確圖案化 GAA 結構；原子層沉積 (ALD)、選擇性蝕刻等先進製程設備將扮演更關鍵的角色；同時，也需要新的檢測和量測設備來確保製程品質；在材料方面，適用於 GAA 閘極堆疊的新型高 K 材料、金屬材料，以及用於 BSP 的低電阻導電材料、晶圓鍵合材料等，都將迎來新的發展契機；供應鏈需要緊跟技術前沿，提供符合新製程要求的解決方案。

展望未來：超越 GAA + BSP 的下一哩路

雖然 GAA+BSP 被視為延續摩爾定律至 2 奈米甚至 1 奈米級別的關鍵技術，但半導體界的探索從未停止；業界已經在積極研究更長遠的技術路徑。

從 Nanosheet/RibbonFET 到 CFET (互補式場效電晶體) 堆疊 N 型與 P 型元件的可能性

GAA 之後的下一代電晶體架構，目前呼聲最高的是 CFET (Complementary FET)；CFET 的核心思想是將 NMOS（N 型金屬氧化物半導體場效電晶體）和 PMOS（P 型）垂直堆疊起來，而不是像現在這樣並排佈局；這樣可以在相同的佔地面積內容納一對互補的電晶體，有望將邏輯密度再提升一倍；這無疑將帶來更高的製造複雜度，但被認為是延續微縮趨勢的潛在方向。

更先進的供電與互連技術探索

在供電方面，BSP 也可能只是過渡方案；業界正在探索更先進的概念，例如將供電網路與散熱結構更緊密地集成，或者探索全新的導電材料和互連方式，以應對未來更高功率密度和更低電壓下的挑戰；在互連技術方面，光互連取代電互連以解決頻寬瓶頸和功耗問題，也一直是研究的熱點方向。

小晶片 (Chiplet) 與異質整合：系統級效能提升的另一關鍵路徑

除了在單一晶片上追求極致微縮，通過先進封裝技術將多個功能不同、甚至製程節點不同的小晶片 (Chiplet) 高效地整合在一起，實現「系統級摩爾定律」，已經成為提升整體運算效能的另一條重要路徑；這種異質整合的趨勢，與 GAA+BSP 等電晶體層級的創新相輔相成，共同構成了後摩爾時代半導體技術發展的雙螺旋。

GAA 與 BSP 聯手，為後摩爾定律時代的持續創新奠定關鍵基礎；

總而言之，GAA 環繞閘極電晶體和 BSP 晶背供電網路的結合，是半導體產業為應對物理極限挑戰、延續摩爾定律指數級增長而祭出的關鍵創新組合拳；GAA 提供了更優異的電晶體開關控制能力，而 BSP 則為其掃清了供電和佈線上的障礙；台積電的 Nanosheet + Super PowerRail 與 Intel 的 RibbonFET + PowerVia 策略，代表了業界領導者對這一趨勢的積極擁抱；儘管面臨巨大的製造和設計挑戰，但 GAA+BSP 的成功部署，將為從行動裝置到超級電腦的廣泛應用帶來革命性的效能提升，並為未來十年的科技發展奠定堅實的基礎。

結論

摩爾定律的步伐或許正在放緩，但創新的腳步從未停歇；GAA 環繞閘極電晶體與 BSP 晶背供電網路的出現，證明了人類智慧在逼近物理極限時的巨大潛能；GAA 以其卓越的靜電控制能力，接過了 FinFET 的接力棒，成為電晶體微縮的新希望；而 BSP 以其革命性的供電架構，解決了困擾業界已久的 IR 壓降和繞線擁塞難題，為 GAA 的效能釋放提供了堅實的保障；兩者缺一不可的協同關係，構成了後摩爾時代延續半導體效能提升的「雙引擎」。

台積電與 Intel 在這場技術變革中的領先佈局和策略差異，不僅塑造了自身的競爭力，也將深刻影響全球半導體產業的未來格局；雖然前路挑戰重重，涉及製造、設計、材料、設備等方方面面，但 GAA+BSP 這對黃金組合的成功，無疑將開啟一個全新的運算時代，驅動人工智能、雲計算、物聯網等前沿科技的加速發展，最終惠及我們每一個人的生活。